賽英公司法人(rén)代表、董事長張玉興教授耗時(shí)2年編著的(de)650頁宏篇巨著——射頻與微波晶體管功率放大(dà)器工程，将于(yú)2010年上(shàng)半年由電子(zǐ)工業出(chū)版社出(chū)版，敬請同行關注!
前言
信号與信息傳輸系統，不(bù)管這(zhè)傳輸媒介是(shì)空氣、傳輸線、光纖還是(shì)波導，在(zài)傳輸的(de)過程中信号都會有損耗。因此在(zài)信号的(de)發送端頭需要(yào / yāo)把被發送的(de)信号放大(dà)到(dào)一(yī / yì ／yí)定的(de)電平，然後再通過媒介傳送。在(zài)無線信号傳輸系統中，信号通過天線向空間輻射，傳輸距離可能從幾米，幾公裏，幾十公裏到(dào)幾百上(shàng)千公裏，這(zhè)就(jiù)是(shì)說(shuō)發送端需要(yào / yāo)幾瓦，幾十瓦，乃至幾百上(shàng)千瓦的(de)發射功率，因此，無論是(shì)通信、雷達、定位、導航、遙測遙控、空間技術、電視廣播等信号傳輸系統中都需要(yào / yāo)發射機。而(ér)發射機中的(de)核心就(jiù)是(shì)射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器。現代移動通信中的(de)基站發射機功率爲(wéi / wèi)幾十瓦，而(ér)手持機的(de)功率爲(wéi / wèi)幾百毫瓦，雷達發射機的(de)脈沖功率高達幾個(gè)千瓦到(dào)幾十，上(shàng)百千瓦。中短波、超短波，VHF/UHF的(de)廣播、電視、通信發射機的(de)功率從瓦級到(dào)幾十上(shàng)百瓦，高至千瓦級。上(shàng)述系統的(de)頻率從幾百KHZ，一(yī / yì ／yí)直覆蓋到(dào)微波波段。功率放大(dà)器覆蓋這(zhè)麽寬的(de)頻帶，功率範圍從幾百毫瓦到(dào)幾十千瓦，對功率放大(dà)器的(de)指标要(yào / yāo)求，頻帶要(yào / yāo)求，不(bù)同的(de)應用場合，需求都是(shì)不(bù)一(yī / yì ／yí)樣的(de)。各個(gè)頻段的(de)功率放大(dà)器，特别是(shì)射頻段和(hé / huò)微波波段，可能的(de)電路結構形式是(shì)完全不(bù)一(yī / yì ／yí)樣的(de)。
現代移動通信技術在(zài)飛速發展，模拟通信體制逐漸退出(chū)曆史舞台，數字通信體制在(zài)更新換代。所有這(zhè)些變革都對RF、微波功率放大(dà)器的(de)指标要(yào / yāo)求愈來(lái)愈苛刻。功率放大(dà)器如何滿足現代通信系統的(de)要(yào / yāo)求，仍是(shì)擺在(zài)我們面前的(de)艱巨的(de)任務。新一(yī / yì ／yí)代移動通信中的(de)發射機，效率和(hé / huò)線性度這(zhè)兩個(gè)指标擺到(dào)了(le／liǎo)最重要(yào / yāo)的(de)位置。爲(wéi / wèi)了(le／liǎo)滿足這(zhè)種苛刻的(de)要(yào / yāo)求，研發出(chū)許多新型發射機的(de)方案，一(yī / yì ／yí)些正在(zài)成熟，而(ér)有些還仍在(zài)研發之(zhī)中。
除了(le／liǎo)性能指标之(zhī)外，價格因素也(yě)是(shì)必須考慮的(de)問題。移動通信領域中的(de)市場競争尤其激烈，價格競争是(shì)一(yī / yì ／yí)個(gè)最主要(yào / yāo)的(de)領域。功率放大(dà)器的(de)價格是(shì)影響系統價格的(de)最主要(yào / yāo)的(de)因素之(zhī)一(yī / yì ／yí)。因此，高指标、低價格是(shì)現代功率放大(dà)器設計者追求的(de)目标。
RF和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)設計技術是(shì)一(yī / yì ／yí)們古老的(de)技術，但也(yě)是(shì)仍在(zài)不(bù)斷更新的(de)技術。功率放大(dà)器分成A類、B類和(hé / huò)C類的(de)方法早在(zài)上(shàng)世紀30年代就(jiù)開始了(le／liǎo)。至今，這(zhè)個(gè)概念還在(zài)使用。由于(yú)移動通信新一(yī / yì ／yí)代數字調制系統的(de)使用，要(yào / yāo)求功率放大(dà)器高的(de)線性度。爲(wéi / wèi)了(le／liǎo)滿足系統要(yào / yāo)求，老的(de)設計方法，如效率與功率的(de)拆衷、功率和(hé / huò)線性度之(zhī)間的(de)拆衷等等，仍在(zài)使用“古老”的(de)分析方法。今天，這(zhè)種方法對功率放大(dà)器的(de)設計仍起到(dào)了(le／liǎo)指導作用。當然，現代功率放大(dà)器的(de)計算機輔助設計已成爲(wéi / wèi)必不(bù)可少的(de)工具，掌握他(tā)是(shì)勢在(zài)必行。
現代通信技術的(de)日新月異，促進了(le／liǎo)功率放大(dà)器技術的(de)發展，尤其是(shì)功率放大(dà)器的(de)線性化技術、功率放大(dà)器效率提高技術、兼顧功率放大(dà)器線性度和(hé / huò)效率技術等等更是(shì)紛紛出(chū)籠。例如，Doherty技術、前饋技術、預失真技術、異相技術等等。這(zhè)些新技術很多已應用在(zài)現代移動通信系統中，還有一(yī / yì ／yí)些正在(zài)發展之(zhī)中。
射頻與微波功率放大(dà)器的(de)設計與實踐，在(zài)我國(guó)仍是(shì)一(yī / yì ／yí)個(gè)較薄弱環節。雖然，目前已出(chū)現幾家專門研發和(hé / huò)生産功率放大(dà)器的(de)專門公司，例如 等等。筆者認爲(wéi / wèi)編著一(yī / yì ／yí)種既有原理，設計方法，又有工程實踐的(de)書是(shì)完全必要(yào / yāo)的(de)。功率放大(dà)器，現在(zài)，至少今後幾十年，仍是(shì)一(yī / yì ／yí)門不(bù)能集成的(de)電路技術，尤其是(shì)大(dà)功率放大(dà)器。其理由是(shì)衆所周知的(de)。射頻和(hé / huò)微波電路中的(de)分布參數、寄身參數及互相耦合的(de)影響是(shì)不(bù)能忽略的(de)。功率放大(dà)器電路闆布闆技術的(de)好壞，在(zài)某些應用中，是(shì)電路能否成功的(de)關鍵。一(yī / yì ／yí)個(gè)設計優良的(de)功率放大(dà)器，布闆不(bù)好引起失敗的(de)例子(zǐ)很多。因此，本書在(zài)編寫的(de)過程中，盡可能的(de)介紹在(zài)方面的(de)經驗與例子(zǐ)。功率放大(dà)器除了(le／liǎo)設計和(hé / huò)布闆之(zhī)外，還存在(zài)很多工程問題，如元器件的(de)選擇、饋電、熱設計、功率放大(dà)器保護等等，這(zhè)涉及很寬的(de)電路知識。本書在(zài)這(zhè)方面也(yě)作一(yī / yì ／yí)些介紹，當然，限于(yú)篇幅，不(bù)可能對每一(yī / yì ／yí)個(gè)部分作詳細介紹。
功率放大(dà)器的(de)核心是(shì)晶體管，如何正确理解晶體管、正确選擇晶體管、理解各類晶體管的(de)特性往往是(shì)電路設計者的(de)薄弱環節。本著作幾乎用了(le／liǎo)一(yī / yì ／yí)章的(de)篇幅來(lái)介紹在(zài)方面的(de)内容。特别是(shì)如何理解晶體管數據表上(shàng)給出(chū)的(de)直流參數、功能參數、極限參數，特别是(shì)極限參數的(de)測量及限制等等。
射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器使用的(de)晶體管有：雙極晶體管(BJT)、砷化镓金屬半導體場效應管(GaAsMESFET)、結型場效應管(FET)、橫向擴散場效應管(LDMOS),現在(zài)，又出(chū)現了(le／liǎo)新穎的(de)功率晶體管——氮化镓晶體管(GaN)、INGaP、GaAs HBT等等。這(zhè)些晶體管的(de)一(yī / yì ／yí)些選用，本書也(yě)作了(le／liǎo)介紹。
本書的(de)一(yī / yì ／yí)個(gè)最大(dà)的(de)特點是(shì)：用了(le／liǎo)很大(dà)的(de)篇幅介紹數字通信的(de)信号調制的(de)性質和(hé / huò)特點，用于(yú)放大(dà)這(zhè)樣的(de)信号的(de)功率放大(dà)器的(de)要(yào / yāo)求是(shì)什麽。使功率放大(dà)器設計工程師更爲(wéi / wèi)明确目标和(hé / huò)目的(de)。著作中給出(chū)了(le／liǎo)很多的(de)工程設計的(de)實例，這(zhè)些例子(zǐ)都來(lái)源于(yú)國(guó)外的(de)文獻資料。筆者也(yě)有這(zhè)方面很多的(de)工程設計實例和(hé / huò)實際測量數據，但限于(yú)一(yī / yì ／yí)些因素，不(bù)便于(yú)發表。
射頻和(hé / huò)微波固體功率放大(dà)器仍在(zài)不(bù)斷的(de)發展之(zhī)中，很多指标以(yǐ)前認爲(wéi / wèi)作不(bù)到(dào)的(de)正在(zài)被刷新。在(zài)書中要(yào / yāo)及時(shí)反映這(zhè)些變化與發展是(shì)不(bù)可能的(de)。因此，本著作的(de)理論核心側重于(yú)基本概念、基本原理、基本設計方法。在(zài)這(zhè)基礎上(shàng)，再歸納出(chū)工程設計近似法。
功率放大(dà)器工作在(zài)大(dà)信号狀态，嚴格的(de)數學分析是(shì)不(bù)可能的(de)。爲(wéi / wèi)了(le／liǎo)給出(chū)定量分析的(de)結果，常常要(yào / yāo)作很多假設。假設符合實際工程情況嗎?假設得到(dào)的(de)近似滿足工程設計的(de)精度嗎?這(zhè)些都要(yào / yāo)一(yī / yì ／yí)一(yī / yì ／yí)驗證。本書給出(chū)了(le／liǎo)這(zhè)個(gè)過程。
本書編寫的(de)工作量很大(dà)，在(zài)編寫的(de)過程中得到(dào)了(le／liǎo)很大(dà)人(rén)的(de)幫助。其中主要(yào / yāo)的(de)是(shì)我衆多的(de)研究生和(hé / huò)成都賽英科技有限公司的(de)技術同行，作者在(zài)此表示我衷心的(de)感謝。
張玉興于(yú)2009.6.8.
目錄
第一(yī / yì ／yí)章 緒論
§1-1 現代數字通信體制的(de)特點
§1-1-1 功率放大(dà)器在(zài)無線通信系統中的(de)地(dì / de)位
§1-1-2 功率放大(dà)器波形質量的(de)測量
§1-1-3 功率效率的(de)測量
§1-1-4 功放線性化技術和(hé / huò)效率提高技術
§1-2 射頻與微波固體功率放大(dà)器的(de)特點
§1-3 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)分析方法綜述
§1-3-1 線性近似化理論
§1-3-2 弱非線性器件的(de)分析方法
§1-3-3 強非線性效應下的(de)近似分析法
§1-3-4 計算機輔助設計(CAD)和(hé / huò)非線性器件模型
§1-3-5 負載牽引設計法
§1-4 射頻和(hé / huò)微波固體功率放大(dà)器中的(de)新穎技術
§1-4-1 功率放大(dà)器的(de)線性化技術
§1-4-2 效率及線性化增強技術
第二章 射頻和(hé / huò)微波晶體管功率放大(dà)器基礎
§2-1 射頻和(hé / huò)微波功率晶體管的(de)直流參數和(hé / huò)功能參數
§2-1-1 直流參數
§2-1-2 極限參數和(hé / huò)熱特性
§2-1-3 功率晶體管的(de)功能特性
§2-1-4 低功率晶體管的(de)功能特性
§2-1-5 線性模塊的(de)功能特性
§2-1-6 功率模塊的(de)功能性特
§2-2 射頻和(hé / huò)微波晶體管應用基礎
§2-2-1 低功率晶體管的(de)選擇
§2-2-2 高功率晶體管的(de)選擇
§2-2-3 晶體管選擇時(shí)的(de)帶寬考慮
§2-2-4 MOSFET與雙極晶體管的(de)選擇
§2-2-5 選擇功率晶體管其他(tā)考慮因素
§2-3 FET和(hé / huò)雙極晶體管的(de)參數和(hé / huò)電路比較
§2-3-1 晶體管類型
§2-3-2 參數的(de)比較
§2-3-3 電路組态
§2-4 影響功率放大(dà)器設計的(de)其他(tā)因素
§2-4-1 工作類别
§2-4-2 調制類型
§2-4-3 線性工作偏置的(de)考慮
§2-4-4 脈沖模式工作的(de)晶體管
§2-5 LDMOS功率晶體管及他(tā)們的(de)應用
§2-5-1 LDMOSFET與垂直MOSFET的(de)比較
§2-5-2 LDMOS器件設計
§2-5-3 LDMOS的(de)特性
§2-5-4 FET的(de)一(yī / yì ／yí)些近似設計考慮
§2-5-5 LDMOS晶體管在(zài)現代移動蜂窩技術中的(de)應用
§2-5-6 射頻功率放大(dà)器的(de)特性
§2-5-7 線性度考慮
§2-5-8 W-CDMA功率放大(dà)器設計實際例子(zǐ)
§2-5-9 CDMA放大(dà)器設計和(hé / huò)優化的(de)電路技術
§2-5-10 LDMOS晶體管的(de)模型
§2-6 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)附加電路
§2-6-1 固體功率放大(dà)器的(de)VSWR保護
§2-6-2 功率放大(dà)器的(de)負載失配量的(de)“在(zài)線”測試電路
§2-6-3 輸出(chū)濾波
§2-7 寬帶阻抗匹配的(de)基本概念
§2-7-1 寬帶電路介紹
§2-7-2 傳統的(de)RF變壓器阻抗變換器
§2-7-3 絞線RF變壓器阻抗變換器
§2-7-4 傳輸線RF變壓器阻抗變換器
§2-7-5 等延遲傳輸線RF變壓器阻抗變換器
§2-8 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)總體設計思想
§2-8-1 單端、平衡(并聯)或者推挽功率放大(dà)器
§2-8-2 單端RF功率放大(dà)器設計思想
§2-8-3 雙極晶體管并聯功率放大(dà)器
§2-8-4 MOSFET晶體管并聯功率放大(dà)器
§2-8-5 推挽功率放大(dà)器
§2-8-6 功率晶體管的(de)阻抗和(hé / huò)放大(dà)器的(de)匹配網絡
§2-8-7 功率放大(dà)器系統的(de)級間匹配電路
§2-8-8 單級設計的(de)實際例子(zǐ)
§2-9 計算機輔助設計程序
§2-9-1 概況
§2-9-2 Motorola阻抗匹配程序的(de)内部
第三章 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)結構技術及可靠性技術
§3-1 RF功率晶體管的(de)封裝類型
§3-2 封裝對發射極/源極阻抗的(de)影響
§3-3 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器印刷電路闆的(de)布局
§3-4 射頻和(hé / huò)微波元器件安排
§3-4-1 高功率晶體管的(de)安裝
§3-4-2 低功率晶體管的(de)安裝
§3-4-3 射頻功率模塊的(de)安裝
§3-5 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)可靠性考慮
§3-5-1 芯片溫度和(hé / huò)他(tā)對可靠性的(de)影響
§3-5-2 其他(tā)可靠性考慮
第四章 線性功率放大(dà)器的(de)設計和(hé / huò)功率放大(dà)器的(de)線性化技術
§4-1 非線性電路基本概念與定義
§4-1-1 線性與非線性
§4-1-2 頻率的(de)産生
§4-1-3 非線性現象
§4-1-4 放大(dà)器中的(de)非線性現象
§4-2 線性晶體管功率放大(dà)器的(de)設計
§4-2-1 A類放大(dà)器和(hé / huò)線性放大(dà)
§4-2-2 增益匹配和(hé / huò)功率匹配
§4-2-3 負載牽引測量
§4-2-4 商用負載牽引測量設備
§4-2-5 負載線理論
§4-2-6 封裝效應和(hé / huò)負載牽引理論
§4-2-7 用CAD程序作負載牽引等功率
§4-2-8 A類功率放大(dà)器設計的(de)實際例子(zǐ)
§4-2-9 總結
§4-3 功率放大(dà)器的(de)線性化技術
§4-3-1 負反饋線性化技術
§4-3-2 預失真技術
§4-3-3 前饋技術
第五章 高效率射頻和(hé / huò)微波固體功率放大(dà)器設計
§5-1 功率放大(dà)器減小導通角的(de)波形分析
§5-2 功率放大(dà)器輸出(chū)端口
§5-3 減小導通角工作模式分析
§5-3-1 A類工作條件
§5-3-2 AB類工作條件
§5-3-3 B類工作狀态
§5-3-4 C類工作狀态
§5-3-5 晶體管的(de)開啓(膝)電壓的(de)影響
§5-3-6 功率轉移特性和(hé / huò)線性度
§5-3-7 對輸入驅動的(de)要(yào / yāo)求
§5-3-8 本節小結
§5-4 降低導通角高效率功率放大(dà)器的(de)匹配網絡的(de)設計
§5-4-1 低通匹配網絡
§5-4-2 傳輸線網絡
§5-4-3 諧波短路
§5-4-4普通的(de)的(de)MESFET晶體管
§5-4-5 850MHz 2W B類功率放大(dà)器設計實例
§5-4-6 “π”型功率匹配網絡
§5-4-7 功率放大(dà)器中的(de)“π”型匹配網絡設計和(hé / huò)分析
§5-4-8 使用負載牽引法的(de)網絡設計和(hé / huò)分析
§5-5 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器中的(de)過驅動和(hé / huò)限制效應
§5-5-1 過驅動A類功率放大(dà)器
§5-5-2 過驅動減小導通角模式的(de)功率放大(dà)器
§5-5-3 正弦波的(de)矩形化：F類和(hé / huò)D類工作狀态
§5-5-4 實際的(de)F類功率放大(dà)器
§5-5-5 具有諧波短路的(de)過驅動功率放大(dà)器
§5-6 射頻應用的(de)開關模式放大(dà)器
§5-6-1 簡單的(de)(射頻應用)開關模式放大(dà)器
§5-6-2 調諧開關模功率放大(dà)器
§5-6-3 D類開關模功率放大(dà)器
§5-6-4 E類開關模功率放大(dà)器
第六章 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器的(de)電路技術
§6-1 推挽放大(dà)器
§6-2 平衡功率放大(dà)器
§6-3 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器中的(de)頻率補償和(hé / huò)負反饋
§6-3-1 頻率補償
§6-3-2 負反饋
第七章 功率合成與分配技術
§7-1 概述
§7-1-1 合成概念的(de)演變
§7-1-2 合成的(de)基本原理
§7-1-3 合成的(de)網絡特性
§7-2 功率合成器/分配器的(de)類型
§7-2-1 諧振和(hé / huò)非諧振腔體合成器/功分器
§7-2-2 非諧振的(de)N路合成器
§7-2-3 空間功率合成器
§7-3 功率合成器/分配器的(de)分析方法
§7-3-1 傳輸線合成器的(de)分析
§7-3-2 平面二維功率合成結構的(de)分析
§7-3-3 波導和(hé / huò)腔體合成器的(de)分析
§7-3-4 空間功率合成結構的(de)分析
§7-4 常規功率分配與合成技術
§7-4-1 Wilkinson 功率分配器
§7-4-2 耦合線定向耦合器
§7-4-3 微波混合橋
§7-4-4 同軸電纜變換器和(hé / huò)合成器
§7-4-5 平行耦合線(雙絞線)及同軸線阻抗變換器和(hé / huò)平衡-不(bù)平衡變換器
§7-5 新型功率分配與合成技術
§7-5-1 基于(yú)DGS結構的(de)不(bù)等分功率合成技術
§7-5-2 基于(yú)多層結構的(de)小型化超寬帶合成技術
§7-5-3 任意雙頻段功分與合成技術
§7-6 空間功率合成技術
§7-6-1 概述
§7-6-2 擴展同軸波導内空間功率合成技術
§7-6-3 徑向波導空間功率合成技術
§7-6-4 基片集成波導空間功率合成技術
§7-7 大(dà)功率合成技術簡介
§7-7-1 傳輸線的(de)功率容量
§7-7-2 大(dà)功率合成器的(de)設計實例
§7-8 小結
第八章 射頻和(hé / huò)微波功率放大(dà)器中的(de)記憶效應和(hé / huò)失真
§8-1 介紹
§8-1-1 本章的(de)目的(de)
§8-1-2 線性化和(hé / huò)記憶效應
§8-1-3 本章的(de)主要(yào / yāo)内容
§8-2 電路理論和(hé / huò)方法
§8-2-1 電系統的(de)分類
§8-2-2 非線性系統的(de)頻譜計算
§8-2-3 無記憶非線性系統中的(de)頻譜再生
§8-2-4 非線性效應與信号帶寬的(de)關系
§8-2-5 非線性系統分析
§8-2-6 小結
§8-2-7 需記住的(de)要(yào / yāo)點
§8-3 射頻功率放大(dà)器中的(de)記憶效應
§8-3-1 效率
§8-3-2 線性化
§8-3-3 電記憶效應
§8-3-4 熱記憶效應
§8-3-5 幅度域效應
§8-3-6 總結
§8-3-7 記憶要(yào / yāo)點
§8-4 Volterra模型
§8-4-1 非線性建模
§8-4-2 非線性I-V和(hé / huò)Q-V特性
§8-4-3 共射BJT/HBT模型
§8-4-4 在(zài)BJT共射放大(dà)器中的(de)IM3
§8-4-5 MESFET建模及分析
§8-4-6 小結
§8-4-7 記憶要(yào / yāo)點
§8-5 Volterra模型的(de)特性描述
§8-5-1 拟合多項式模型
§8-5-2 自熱效應
§8-5-3 直流 I-V 特性
§8-5-4 交流特性描述步驟
§8-5-5 脈沖S-參數測量
§8-5-6 封裝效應的(de)去除
§8-5-7 小信号參數的(de)計算
§8-5-8 拟合法交流測量
§8-5-9 1-W BJT的(de)非線性模型
§8-5-10 1-W MESFET 的(de)非線性模型
§8-5-11 30-W LDMOS的(de)非線性模型
§8-5-12 小結
§8-5-13 記憶要(yào / yāo)點
§8-6 仿真及測量記憶效應
§8-6-1 仿真記憶效應
§8-6-2 記憶效應的(de)測量
§8-6-3 記憶效應與線性化
§8-6-4 小結
§8-6-5 記憶要(yào / yāo)點
§8-7 記憶效應的(de)抵消
§8-7-1 包絡濾波法
§8-7-2 阻抗優化
§8-7-3 包絡注入
§8-7-4 小結
§8-7-5 記憶要(yào / yāo)點
附錄7A: Volterra 分析基礎
附錄7B: 截斷誤差
附錄7C:平方非線性級聯時(shí)的(de)IM3公式
附錄 7D: 測量系統的(de)有關問題
第九章 異相射頻與微波功率放大(dà)器
§9-1異相微波功率放大(dà)器的(de)介紹
§9-1-1 從曆史角度來(lái)看異相放大(dà)器
§9-1-2 異相放大(dà)理論的(de)介紹
§9-2 反相功率放大(dà)系統的(de)線性性能
§9-2-1介紹
§9-2-2 數字調制技術
§9-2-3 數字數據的(de)基帶濾波
§9-2-4 異相放大(dà)器信号分量的(de)分離
§9-2-5 路徑不(bù)均衡和(hé / huò)他(tā)對線性度的(de)影響
§9-2-6 正交調制器誤差對線性度的(de)影響
§9-2-7 SCS量化誤差對于(yú)異相系統的(de)影響
§9-2-8 重構濾波器和(hé / huò)DSP抽樣率對線性度影響
§9-2-9總結
§9-3 異相放大(dà)器中降低路徑失配的(de)技術
§9-3-1 簡介
§9-3-2 基于(yú)訓練矢量的(de)改進方法
§9-3-3 數據傳輸中路徑失配誤差的(de)校正方案
§9-3-4 寬帶應用中的(de)失配校正方法
§9-3-5 VCO驅動合成
§9-4 異相功率放大(dà)器中的(de)功率合成及效率增強技術
§9-4-1 介紹
§9-4-2 異相放大(dà)器中的(de)功率合成技術
§9-4-3 異相系統的(de)放大(dà)器選擇
§9-4-4 利用A、B、C類放大(dà)器設計異相放大(dà)器
§9-4-5 Chireix功率合成技術
§9-4-6 開關模式放大(dà)器(D類和(hé / huò)E類)的(de)功率合成器的(de)設計
§9-4-7 在(zài)異相功率放大(dà)器中使用有損耗的(de)功率合成器
§9-4-8 輸出(chū)功率的(de)概率分布及其對效率帶來(lái)的(de)影響
§9-4-9 異相放大(dà)器中的(de)功率回收
附錄 9A
9A.1 混合型功率合成器輸出(chū)的(de)資用功率
9A.2 任意二極管模型的(de)回收效率和(hé / huò)電壓駐波比
第十章 通信系統中的(de)功率放大(dà)器
§10-1 Kahn包絡分離和(hé / huò)恢複技術
§10-2 包絡跟蹤
§10-3 異相功率放大(dà)器
§10-4 Doherty功率放大(dà)器方案
§10-5 開關模和(hé / huò)雙途徑功率放大(dà)器
§10-6 前饋線性化技術
§10-7 預失真線性化(技術)
§10-8 手持機應用的(de)單片CMOS和(hé / huò)HBT功率放大(dà)器